中国科技大学郭光灿院士指导的中科院量子信息重点实验室，近期在半导体门控量子点的研讨中获得重要停顿。该实验室的郭国平教授研讨组与其协作者深化探求二维层状过渡金属硫族化合物应用于半导体量子芯片的可能性，实验上初次在半导体柔性二维资料体系中完成了全电学调控的量子点器件。
经过几十年的展开，半导体门控量子点作为一种量子晶体管曾经成为量子芯片的抢手候选体系之一。以石墨烯为代表的二维资料体系由于其自然的单原子层厚度、[敏感词]的电学性能、易于集成等优点，成为柔性电子学、量子电子学的重点研讨对象。但是自石墨烯被发现之后的十几年里，科学家们经过大量的实验尝试，发现石墨烯中能带构造、界面缺陷杂质等要素对量子点器件的性能有很大的影响。直到目前，二维资料中的量子点还无法完成有效的电学调控。
针对这种状况，郭国平研讨组与日本国立资料研讨所TakashiTaniguchi和KenjiWatanabe研讨员以及理化研讨所的FrancoNori教授协作，选择新型二维资料二硫化钼中止深化研讨。该资料具有合适的带隙、较强的自旋轨道耦合强度以及丰厚的自旋－能谷相关的物理现象，因而在量子电子学，特别是自旋电子学和能谷电子学中具有宽广的应用前景。
经过大量的尝试，研讨组应用微纳加工、低温LED辐照等一系列现代半导体工艺手段，分别当前二维资料体系研讨中普遍采用的氮化硼封装技术，有效减少了量子点构造中的杂质、缺陷等，初次在这类资料中完成了全电学可控的双量子点构造。